IRLI530N
Package Outline
TO-220 Fullpak Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
10.60 (.417)
10.40 (.409)
?
3.40 (.133)
3.10 (.123)
-A-
4.80 (.189)
4.60 (.181)
2.80 (.110)
2.60 (.102)
3.70 (.145)
LE A D A S S IG N ME N TS
3.20 (.126)
7.10 (.280)
6.70 (.263)
1 - G A TE
2 - D R A IN
3 - SOURCE
16.00 (.630)
15.80 (.622)
1.15 (.045)
M IN .
NOTES:
1 D IME N S IO N IN G & TO LE R A N C IN G
P E R A N S I Y 14.5M , 1982
1
2
3
2 C O N TR O LLIN G D IM E N S IO N : IN C H .
3.30 (.130)
3.10 (.122)
-B-
13.70 (.540)
13.50 (.530)
C
D
0.44 (.017)
1.40 (.055)
3X
1.05 (.042)
2.54 (.100)
0.90 (.035)
3X 0.70 (.028)
0.25 (.010)
M
A M
B
0.48 (.019)
3X
2.85 (.112)
2.65 (.104)
A
B
M IN IM U M C R E E P A G E
D IS TA N C E B E TW E E N
2X
Part Marking Information
TO-220 Fullpak
E E : : T A N 1 1 0
E X A M X P A L M P L E TH IS H IS IS N A IR F IR 0 F I8 4 0 G
A -B -C -D = 4.80 (.189)
R E C T IF IE R T IO N A L
LO GO
IR IR F I8 4 0 G
W A S S E L
W ITH IT H S A E S M B M Y B L Y
L O T L O C T O D C E O D 9 E B 1 E M 4 0 1
IN TE R N A T IO N A L
IN T E R N A
R E C T IF IE R
LOGO
A S E B L L
A S S E M M B Y Y
L O L T O T C O C O D D E E
F1010
9246
9 B E 40 1 1 92 M 45
A
P A R T N U M B E R A
PART NUMBER
Y )
D A TE C O D E
(Y D Y A W T E W ) C O D E
Y (Y Y = W W E A R
Y W A E
W Y W = YE E R K
W W = W EEK
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T 3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: 171 (K&H Bldg.) 30-4 Nishi-ikebukuro 3-chome, Toshima-ku, Tokyo Japan Tel: 81 33 983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 16907 Tel: 65 221 8371
Data and specifications subject to change without notice. 3/98
相关PDF资料
IRLI540N MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
IRLIZ34N MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
IRLIZ44G MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
IRLL014NTR MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLL2703TR MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRLL2705TR MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLL3303 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
IRLM120ATF MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
相关代理商/技术参数
IRLI530NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI540A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET
IRLI540ATU 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI540G 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI540GPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI540N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLI540NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 20A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET